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IS63WV1288DBLL-10HLI-TR

封装/外壳:32-TFSOP(0.465",11.80mm 宽) 包装:托盘 描述:IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I 集成电路(IC) 存储器

ETC

知名厂家

128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM

FEATURES HIGH SPEED: (IS63/64WV1288DALL/DBLL) • High-speed access time: 8, 10, 12, 20 ns • Low Active Power: 135 mW (typical) • Low Standby Power: 12 μW (typical) CMOS standby LOW POWER: (IS63/64WV1288DALS/DBLS) • High-speed access time: 25, 35 ns • Low Active Power: 55 mW (typical) • Low

ISSI

矽成半导体

128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM

FEATURES HIGH SPEED: (IS63/64WV1288DALL/DBLL) • High-speed access time: 8, 10, 12, 20 ns • Low Active Power: 135 mW (typical) • Low Standby Power: 12 μW (typical) CMOS standby LOW POWER: (IS63/64WV1288DALS/DBLS) • High-speed access time: 25, 35 ns • Low Active Power: 55 mW (typical) • Low

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FEATURES HIGH SPEED: (IS63/64WV1288DALL/DBLL) • High-speed access time: 8, 10, 12, 20 ns • Low Active Power: 135 mW (typical) • Low Standby Power: 12 μW (typical) CMOS standby LOW POWER: (IS63/64WV1288DALS/DBLS) • High-speed access time: 25, 35 ns • Low Active Power: 55 mW (typical) • Low

ISSI

矽成半导体

IS63WV1288DBLL-10HLI-TR产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IS63WV1288DBLL-10HLI-TR

  • 功能描述

    静态随机存取存储器 1Mb(128Kx8) 10ns Async 静态随机存取存储器 3.3v

  • RoHS

  • 制造商

    Cypress Semiconductor

  • 存储容量

    16 Mbit

  • 组织

    1 M x 16

  • 访问时间

    55 ns

  • 电源电压-最大

    3.6 V

  • 电源电压-最小

    2.2 V

  • 最大工作电流

    22 uA

  • 最大工作温度

    + 85 C

  • 最小工作温度

    - 40 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    TSOP-48

  • 封装

    Tray

更新时间:2025-11-19 14:29:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ISSI
25+
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880000
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静态随机存取存储器1Mb(128Kx8)10nsAsync静态随机存取
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原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票!
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