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位置：首页 > IC中文资料 > IS62WV51216EBLL-45BI

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IS62WV51216EBLL-45BI

512Kx16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM

FEATURES  High-speed access time: 45ns, 55ns  CMOS low power operation – 36 mW (typical) operating  TTL compatible interface levels  Single power supply –1.65V—2.2V VDD (62/65WV51216EALL) – 2.2V--3.6V VDD (62/65WV51216EBLL)  Data control for upper and lower bytes  Automotive tempera

ISSI

矽成半导体

IS62WV51216EBLL-45BLI

512Kx16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM

FEATURES  High-speed access time: 45ns, 55ns  CMOS low power operation – 36 mW (typical) operating  TTL compatible interface levels  Single power supply –1.65V—2.2V VDD (62/65WV51216EALL) – 2.2V--3.6V VDD (62/65WV51216EBLL)  Data control for upper and lower bytes  Automotive tempera

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矽成半导体

IS62WV51216EBLL-45TI

512Kx16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM

FEATURES  High-speed access time: 45ns, 55ns  CMOS low power operation – 36 mW (typical) operating  TTL compatible interface levels  Single power supply –1.65V—2.2V VDD (62/65WV51216EALL) – 2.2V--3.6V VDD (62/65WV51216EBLL)  Data control for upper and lower bytes  Automotive tempera

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矽成半导体

IS62WV51216EBLL-45TLI

512Kx16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM

FEATURES  High-speed access time: 45ns, 55ns  CMOS low power operation – 36 mW (typical) operating  TTL compatible interface levels  Single power supply –1.65V—2.2V VDD (62/65WV51216EALL) – 2.2V--3.6V VDD (62/65WV51216EBLL)  Data control for upper and lower bytes  Automotive tempera

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矽成半导体

IS62WV51216EBLL-45BI供应商更多...

更新时间：2025-11-19 9:31:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市河锋鑫科技有限公司
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