IS61WV25616EDBLL-10BLI-TR芯片数据手册原装现货专卖-IC资料网

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芯片资料

精确

型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO
IS61WV25616EDBLL-10BLI-TR	封装/外壳：48-TFBGA 包装：托盘描述：IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48MINIBGA 集成电路（IC）存储器	ETC 知名厂家	ETC
IS61WV25616EDBLL-10BLI	256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH ECC FEATURES • High-speed access time: 8, 10 ns • Low Active Power: 85 mW (typical) • Low Standby Power: 7 mW (typical) CMOS standby • Single power supply — Vdd 2.4V to 3.6V (10 ns) — Vdd 3.3V ± 10% (8 ns) • Fully static operation: no clock or refresh required • Three state outputs • Da	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61WV25616EDBLL-10BI	256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH ECC 文件：751.82 Kbytes Page：14 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
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更新时间：2025-11-17 23:00:00

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IS62WV51216BLL-55TL
IS62WV51216BLL-55TL
2022-7-1
IS62WV12816EBLL-45BLI
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2021-10-11
IS61SF12832-8.5TQ
产品属性属性值搜索类似制造商: ISSI 产品种类: 静态随机存取存储器存储容量: 4 Mbit 访问时间: 8.5 ns 最大时钟频率: 90 MHz 电源电压-最大: 3.63 V 电源电压-最小: 3.135 V 电源电流—最大值: 230 mA 最小工作温度: 0 C 最大工作温度: + 70 C 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TQFP-100 数
2020-7-13
IS61SF12832-8.5TQ
原装正品热卖假一赔十
2020-7-13
IS61LV256AH-15JI，IS61LV256AH-10T，IS61LV256AH-10TI，IS61LV256AH-12J，IS61LV2568L-12TI，IS61LV2568L-10TLI，IS61LV2568L-10K，IS61LV2568-12T，IS61LV2568-12K，IS61LV2568-15T
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2020-1-1
IS62C256AL-45TLI进口原装假一赔十
瀚佳科技(深圳）有限公司：专业销售集成电路IC.单片机.内存闪存.二三级管模块等电子元器件。
2018-12-30