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IS61WV25616EDBLL-10TI

256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH ECC

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矽成半导体

256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH ECC

FEATURES • High-speed access time: 8, 10 ns • Low Active Power: 85 mW (typical) • Low Standby Power: 7 mW (typical) CMOS standby • Single power supply — Vdd 2.4V to 3.6V (10 ns) — Vdd 3.3V ± 10% (8 ns) • Fully static operation: no clock or refresh required • Three state outputs • Da

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更新时间:2025-11-18 9:18:00
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