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芯片资料

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IS61WV102416FBLL-10BLI-TR	封装/外壳：48-TFBGA 包装：托盘描述：IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TFBGA 集成电路（IC）存储器	ETC 知名厂家	ETC
IS61WV102416FBLL-10BI	1Mx16 HIGH-SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V/1.8V SUPPLY FEATURES  High-speed access time: 8ns, 10ns, 20ns  High- performance, low power CMOS process  Multiple center power and ground pins for greater noise immunity  TTL compatible inputs and outputs  Single power supply – 1.65V-2.2V VDD (IS61WV102416FALL) – 2.4V-3.6V VDD (IS61/64WV102416FB	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61WV102416FBLL-10BLI	1Mx16 HIGH-SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V/1.8V SUPPLY FEATURES  High-speed access time: 8ns, 10ns, 20ns  High- performance, low power CMOS process  Multiple center power and ground pins for greater noise immunity  TTL compatible inputs and outputs  Single power supply – 1.65V-2.2V VDD (IS61WV102416FALL) – 2.4V-3.6V VDD (IS61/64WV102416FB	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61WV102416FBLL-10TLI	1Mx16 HIGH-SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V/1.8V SUPPLY FEATURES  High-speed access time: 8ns, 10ns, 20ns  High- performance, low power CMOS process  Multiple center power and ground pins for greater noise immunity  TTL compatible inputs and outputs  Single power supply – 1.65V-2.2V VDD (IS61WV102416FALL) – 2.4V-3.6V VDD (IS61/64WV102416FB	ISSI 矽成半导体	ISSI

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更新时间：2025-12-14 23:01:00

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深圳市高捷芯城科技有限公司	IS61WV102416FBLL-10BLI-TR	ISSI(美国芯成)	24+	TFBGA48(6x8)	7350	现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!!	询价
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IS62WV51216BLL-55TL
IS62WV51216BLL-55TL
2022-7-1
IS62WV12816EBLL-45BLI
IS62WV12816EBLL-45BLI
2021-10-11
IS61SF12832-8.5TQ
产品属性属性值搜索类似制造商: ISSI 产品种类: 静态随机存取存储器存储容量: 4 Mbit 访问时间: 8.5 ns 最大时钟频率: 90 MHz 电源电压-最大: 3.63 V 电源电压-最小: 3.135 V 电源电流—最大值: 230 mA 最小工作温度: 0 C 最大工作温度: + 70 C 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TQFP-100 数
2020-7-13
IS61SF12832-8.5TQ
原装正品热卖假一赔十
2020-7-13
IS61LV256AH-15JI，IS61LV256AH-10T，IS61LV256AH-10TI，IS61LV256AH-12J，IS61LV2568L-12TI，IS61LV2568L-10TLI，IS61LV2568L-10K，IS61LV2568-12T，IS61LV2568-12K，IS61LV2568-15T
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2020-1-1
IS62C256AL-45TLI进口原装假一赔十
瀚佳科技(深圳）有限公司：专业销售集成电路IC.单片机.内存闪存.二三级管模块等电子元器件。
2018-12-30