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IS61DDB21M36A	DDR-II, Common I/O, Separate I/O SRAM ·18Mb, 36Mb, and 72Mb densities available\n·x18 and x36 configurations available\n·Burst of 2 or Burst of 4\n·Commercial and Industrial Temperature support\n·333MHz speed for QUAD and DDR-II\n·550MHz speed for QUADP and DDR-IIP\n·ODT and QVLD features for QUADP and DDR-IIP\n·Long-term Support\n	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61DDB21M18A	Fixed 2-bit burst for read and write operations 文件：770.68 Kbytes Page：29 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61DDB21M18A-300M3L	封装/外壳：165-LBGA 包装：托盘描述：IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165LFBGA 集成电路（IC）存储器	ETC 知名厂家	ETC
IS61DDB21M18C-250M3L	封装/外壳：165-LBGA 包装：托盘描述：IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165LFBGA 集成电路（IC）存储器	ETC 知名厂家	ETC
IS61DDB21M36	DDR-II, Common I/O, Separate I/O SRAM	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61DDB21M36-250M3	36 Mb (1M x 36 & 2M x 18) DDR-II (Burst of 2) CIO Synchronous SRAMs 文件：550.18 Kbytes Page：25 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61DDB21M36A	Clock stop support 文件：760.91 Kbytes Page：29 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61DDB22M18	DDR-II, Common I/O, Separate I/O SRAM	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61DDB22M18	36 Mb (1M x 36 & 2M x 18) DDR-II (Burst of 2) CIO Synchronous SRAMs 文件：550.18 Kbytes Page：25 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61DDB22M18-250M3	36 Mb (1M x 36 & 2M x 18) DDR-II (Burst of 2) CIO Synchronous SRAMs 文件：550.18 Kbytes Page：25 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61DDB22M18A	Clock stop support 文件：760.91 Kbytes Page：29 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61DDB22M36	72 Mb (2M x 36 & 4M x 18) DDR-II (Burst of 2) CIO Synchronous SRAMs 文件：624.46 Kbytes Page：25 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61DDB22M36-250M3	72 Mb (2M x 36 & 4M x 18) DDR-II (Burst of 2) CIO Synchronous SRAMs 文件：624.46 Kbytes Page：25 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61DDB22M36-250M3L	72 Mb (2M x 36 & 4M x 18) DDR-II (Burst of 2) CIO Synchronous SRAMs 文件：624.46 Kbytes Page：25 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61DDB22M36-300M3	72 Mb (2M x 36 & 4M x 18) DDR-II (Burst of 2) CIO Synchronous SRAMs 文件：624.46 Kbytes Page：25 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61DDB22M36-300M3L	72 Mb (2M x 36 & 4M x 18) DDR-II (Burst of 2) CIO Synchronous SRAMs 文件：624.46 Kbytes Page：25 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61DDB22M36-300M3LI	72 Mb (2M x 36 & 4M x 18) DDR-II (Burst of 2) CIO Synchronous SRAMs 文件：624.46 Kbytes Page：25 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61DDB22M36A	Common I/O read and write ports 文件：770.73 Kbytes Page：29 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61DDB24M18-250M3	72 Mb (2M x 36 & 4M x 18) DDR-II (Burst of 2) CIO Synchronous SRAMs 文件：624.46 Kbytes Page：25 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61DDB24M18-250M3L	72 Mb (2M x 36 & 4M x 18) DDR-II (Burst of 2) CIO Synchronous SRAMs 文件：624.46 Kbytes Page：25 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61DDB24M18-300M3	72 Mb (2M x 36 & 4M x 18) DDR-II (Burst of 2) CIO Synchronous SRAMs 文件：624.46 Kbytes Page：25 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61DDB24M18-300M3L	72 Mb (2M x 36 & 4M x 18) DDR-II (Burst of 2) CIO Synchronous SRAMs 文件：624.46 Kbytes Page：25 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61DDB24M18A	Common I/O read and write ports 文件：770.73 Kbytes Page：29 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61DDB251236A	Fixed 2-bit burst for read and write operations 文件：770.68 Kbytes Page：29 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61DDB41M18A	1Mx18, 512Kx36 18Mb DDR-II (Burst 4) CIO SYNCHRONOUS SRAM 文件：488.92 Kbytes Page：30 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61DDB41M36-250M3	36 Mb (1M x 36 & 2M x 18) DDR-II (Burst of 4) CIO Synchronous SRAMs 文件：515.57 Kbytes Page：26 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61DDB41M36A	Synchronous pipeline read with late write operation 文件：807.45 Kbytes Page：32 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61DDB42M18	36 Mb (1M x 36 & 2M x 18) DDR-II (Burst of 4) CIO Synchronous SRAMs 文件：515.57 Kbytes Page：26 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61DDB42M18-250M3	36 Mb (1M x 36 & 2M x 18) DDR-II (Burst of 4) CIO Synchronous SRAMs 文件：515.57 Kbytes Page：26 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61DDB42M18A	Synchronous pipeline read with late write operation 文件：807.45 Kbytes Page：32 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61DDB42M36	72 Mb (2M x 36 & 4M x 18) DDR-II (Burst of 4) CIO Synchronous SRAMs 文件：669.17 Kbytes Page：26 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61DDB42M36-250M3	72 Mb (2M x 36 & 4M x 18) DDR-II (Burst of 4) CIO Synchronous SRAMs 文件：669.17 Kbytes Page：26 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61DDB42M36-250M3L	72 Mb (2M x 36 & 4M x 18) DDR-II (Burst of 4) CIO Synchronous SRAMs 文件：669.17 Kbytes Page：26 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61DDB42M36-300M3	72 Mb (2M x 36 & 4M x 18) DDR-II (Burst of 4) CIO Synchronous SRAMs 文件：669.17 Kbytes Page：26 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61DDB42M36-300M3L	72 Mb (2M x 36 & 4M x 18) DDR-II (Burst of 4) CIO Synchronous SRAMs 文件：669.17 Kbytes Page：26 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61DDB42M36A	Synchronous pipeline read with late write operation 文件：814.86 Kbytes Page：31 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61DDB44M18-250M3	72 Mb (2M x 36 & 4M x 18) DDR-II (Burst of 4) CIO Synchronous SRAMs 文件：669.17 Kbytes Page：26 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61DDB44M18-250M3L	72 Mb (2M x 36 & 4M x 18) DDR-II (Burst of 4) CIO Synchronous SRAMs 文件：669.17 Kbytes Page：26 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61DDB44M18-300M3	72 Mb (2M x 36 & 4M x 18) DDR-II (Burst of 4) CIO Synchronous SRAMs 文件：669.17 Kbytes Page：26 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61DDB44M18-300M3L	72 Mb (2M x 36 & 4M x 18) DDR-II (Burst of 4) CIO Synchronous SRAMs 文件：669.17 Kbytes Page：26 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61DDB44M18A	Synchronous pipeline read with late write operation 文件：814.86 Kbytes Page：31 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61DDB451236A	1Mx18, 512Kx36 18Mb DDR-II (Burst 4) CIO SYNCHRONOUS SRAM 文件：488.92 Kbytes Page：30 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61DDP2B21M18A	1Mx18, 512Kx36 18Mb DDR-IIP (Burst 2) CIO SYNCHRONOUS SRAM 文件：534.51 Kbytes Page：31 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61DDP2B21M18A/A1/A2	1Mx18, 512Kx36 18Mb DDR-IIP (Burst 2) CIO SYNCHRONOUS SRAM 文件：534.51 Kbytes Page：31 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61DDP2B21M18ASLASHA1SLASHA2	1Mx18, 512Kx36 18Mb DDR-IIP (Burst 2) CIO SYNCHRONOUS SRAM 文件：534.51 Kbytes Page：31 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61DDP2B21M36A/A1/A2	2Mx18, 1Mx36 36Mb DDR-IIP (Burst 2) CIO SYNCHRONOUS SRAM 文件：534.39 Kbytes Page：31 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61DDP2B21M36ASLASHA1SLASHA2	2Mx18, 1Mx36 36Mb DDR-IIP (Burst 2) CIO SYNCHRONOUS SRAM 文件：534.39 Kbytes Page：31 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61DDP2B22M18A	2Mx18, 1Mx36 36Mb DDR-IIP (Burst 2) CIO SYNCHRONOUS SRAM 文件：534.39 Kbytes Page：31 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61DDP2B22M18A/A1/A2	2Mx18, 1Mx36 36Mb DDR-IIP (Burst 2) CIO SYNCHRONOUS SRAM 文件：534.39 Kbytes Page：31 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61DDP2B22M18ASLASHA1SLASHA2	2Mx18, 1Mx36 36Mb DDR-IIP (Burst 2) CIO SYNCHRONOUS SRAM 文件：534.39 Kbytes Page：31 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61DDP2B22M36A	Common I/O read and write ports 文件：889.88 Kbytes Page：31 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61DDP2B22M36A1	Common I/O read and write ports 文件：889.88 Kbytes Page：31 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61DDP2B22M36A2	Common I/O read and write ports 文件：889.88 Kbytes Page：31 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61DDP2B24M18A	Common I/O read and write ports 文件：889.88 Kbytes Page：31 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61DDP2B24M18A1	Common I/O read and write ports 文件：889.88 Kbytes Page：31 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61DDP2B24M18A2	Common I/O read and write ports 文件：889.88 Kbytes Page：31 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61DDP2B251236A/A1/A2	1Mx18, 512Kx36 18Mb DDR-IIP (Burst 2) CIO SYNCHRONOUS SRAM 文件：534.51 Kbytes Page：31 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61DDP2B251236ASLASHA1SLASHA2	1Mx18, 512Kx36 18Mb DDR-IIP (Burst 2) CIO SYNCHRONOUS SRAM 文件：534.51 Kbytes Page：31 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61DDP2B41M18A	1Mx18, 512Kx36 18Mb DDR-IIP(Burst 4) CIO SYNCHRONOUS SRAM 文件：578.41 Kbytes Page：32 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61DDP2B41M18A/A1/A2	1Mx18, 512Kx36 18Mb DDR-IIP(Burst 4) CIO SYNCHRONOUS SRAM 文件：578.41 Kbytes Page：32 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI

IS61D产品属性

类型
描述
型号
IS61D
制造商
IDEC Corporation
功能描述
Sensor Inductive NPN NO

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更新时间：2026-5-24 17:30:00

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艾睿（深圳）半导体有限公司	IS6003	ISOCOM	2447	DIP-6	100500	一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货	询价
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	IS60002CIH325	INTERSIL	23+		45800	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	IS6005	ISOCOM	23+	SOP6	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价

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