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512Mx8, 256Mx16 4Gb DDR3 SDRAM

FEATURES • Standard Voltage: VDD and VDDQ = 1.5V ± 0.075V • Low Voltage (L): VDD and VDDQ = 1.35V + 0.1V, -0.067V - Backward compatible to 1.5V • High speed data transfer rates with system frequency up to 1066 MHz • 8 internal banks for concurrent operation • 8n-Bit pre-fetch architecture

ISSI

矽成半导体

512Mx8, 256Mx16 4Gb DDR3 SDRAM

FEATURES • Standard Voltage: VDD and VDDQ = 1.5V ± 0.075V • Low Voltage (L): VDD and VDDQ = 1.35V + 0.1V, -0.067V - Backward compatible to 1.5V • High speed data transfer rates with system frequency up to 1066 MHz • 8 internal banks for concurrent operation • 8n-Bit pre-fetch architecture

ISSI

矽成半导体

封装/外壳:96-TFBGA 包装:管件 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA 集成电路(IC) 存储器

ETC

知名厂家

封装/外壳:96-TFBGA 包装:托盘 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA 集成电路(IC) 存储器

ETC

知名厂家

更新时间:2025-12-18 12:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ISSI
24+
BGA
5000
全新原装正品,现货销售
ISSI/芯成
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BGA96
32000
ISSI/芯成全新特价IS43TR16256B-125KBLI即刻询购立享优惠#长期有货
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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
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315000
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
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电联咨询
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公司现货,提供拆样技术支持
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只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
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一级代理专营品牌!原装正品,现货为客户做到零风险!!
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TWBGA-96(9x13)
32000
全新原厂原装正品现货,低价出售,实单可谈
ISSI(美国芯成)
24+
TWBGA-96(9x13)
16048
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同
ISSI/芯成
24+
BGA96
32000
郑重承诺只做原装进口现货

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