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IS43TR16256B-125KBLI

512Mx8, 256Mx16 4Gb DDR3 SDRAM

FEATURES • Standard Voltage: VDD and VDDQ = 1.5V ± 0.075V • Low Voltage (L): VDD and VDDQ = 1.35V + 0.1V, -0.067V - Backward compatible to 1.5V • High speed data transfer rates with system frequency up to 1066 MHz • 8 internal banks for concurrent operation • 8n-Bit pre-fetch architecture

ISSI

矽成半导体

IS43TR16256B-125KBLI

封装/外壳:96-TFBGA 包装:管件 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA 集成电路(IC) 存储器

ETC

知名厂家

封装/外壳:96-TFBGA 包装:托盘 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA 集成电路(IC) 存储器

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FEATURES • Standard Voltage: VDD and VDDQ = 1.5V ± 0.075V • Low Voltage (L): VDD and VDDQ = 1.35V + 0.1V, -0.067V - Backward compatible to 1.5V • High speed data transfer rates with system frequency up to 1066 MHz • 8 internal banks for concurrent operation • 8n-Bit pre-fetch architecture

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矽成半导体

更新时间:2025-12-19 9:38:00
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BGA96
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