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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IS43LR16320C | 8M x 16Bits x 4Banks Mobile DDR SDRAM 文件：1.60099 Mbytes Page：45 Pages | ISSI 矽成半导体 |   | |
IS43LR16320C | Mobile DDR SDRAM | ISSI 矽成半导体 | | |
封装/外壳：60-TFBGA 包装：管件 描述：IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TFBGA 集成电路（IC） 存储器 | ETC 知名厂家 | ETC | | |
动态随机存取存储器 512M, 1.8V, 166Mhz Mobile DDR S动态随机存取存储器 | ISSI 矽成半导体 | | ||
动态随机存取存储器 512M, 1.8V, 166Mhz Mobile DDR | ISSI 矽成半导体 | | ||
封装/外壳：60-TFBGA 包装：托盘 描述：IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TFBGA 集成电路（IC） 存储器 | ETC 知名厂家 | ETC | | |
8M x 16Bits x 4Banks Mobile DDR SDRAM Features • JEDEC standard 1.8V power supply • VDD = 1.8V, VDDQ = 1.8V • Four internal banks for concurrent operation • MRS cycle with address key programs - CAS latency 2, 3 (clock) - Burst length (2, 4, 8, 16) - Burst type (sequential & interleave) • Fully differential clock inputs (CK, / | ISSI 矽成半导体 | | ||
8M x 16Bits x 4Banks Mobile DDR SDRAM 文件：2.26338 Mbytes Page：42 Pages | ISSI 矽成半导体 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ISSI(美国芯成) |
24+ |
TFBGA60(8x10) |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
|||
ISSI, |
25+ |
25000 |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
||||
ISSI |
24+ |
BGA60 |
9000 |
只做原装正品 有挂有货 假一赔十 |
|||
ISSI |
18+ |
QFN |
85600 |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
|||
ISSI |
1716+ |
? |
8450 |
只做原装进口,假一罚十 |
|||
ISSI |
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
||||
ISSI(美国芯成) |
2447 |
TFBGA-60(8x10) |
315000 |
2000个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货, |
|||
ISSI |
3 |
||||||
ISSI(美国芯成) |
25+ |
TFBGA-60(8x10) |
500000 |
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞 |
|||
ISSI |
21+ |
BGA60 |
1975 |
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2019-5-9
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