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位置：首页 > IC中文资料第1272页 > IS42S32400E-7BL-TR

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IS42S32400E-7BL-TR

封装/外壳：90-TFBGA 包装：管件 描述：IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90TFBGA 集成电路（IC） 存储器

ETC

知名厂家

IS42S32400E-7BI

4M x 32 128Mb SYNCHRONOUS DRAM

OVERVIEW ISSIs 128Mb Synchronous DRAM achieves high-speed data transfer using pipeline architecture. All inputs and outputs signals refer to the rising edge of the clock input. The 128Mb SDRAM is organized in 1Meg x 32 bit x 4 Banks. FEATURES • Clock frequency: 166, 143, 133 MHz • Fully sync

ISSI

矽成半导体

IS42S32400E-7BL

4M x 32 128Mb SYNCHRONOUS DRAM

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矽成半导体

IS42S32400E-7BLI

4M x 32 128Mb SYNCHRONOUS DRAM

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矽成半导体

IS42S32400E-7TI

4M x 32 128Mb SYNCHRONOUS DRAM

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矽成半导体

IS42S32400E-7TL

4M x 32 128Mb SYNCHRONOUS DRAM

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矽成半导体

IS42S32400E-7BL-TR产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IS42S32400E-7BL-TR

  • 功能描述

    动态随机存取存储器 128M(4Mx32) 143MHz S动态随机存取存储器, 3.3v

  • RoHS

    否

  • 制造商

    ISSI

  • 数据总线宽度

    16 bit

  • 组织

    1 M x 16

  • 封装/箱体

    SOJ-42

  • 存储容量

    16 MB

  • 访问时间

    50 ns

  • 电源电压-最大

    7 V

  • 电源电压-最小

    - 1 V

  • 最大工作电流

    90 mA

  • 最大工作温度

    + 85 C

  • 封装

    Tube

IS42S32400E-7BL-TR供应商更多...

更新时间：2025-11-24 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市得捷芯城科技有限公司
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