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IS181D

HIGH DENSITY MOUNTING PHOTOTRANSISTOR OPTICALLY COUPLED ISOLATORS

DESCRIPTION The IS181 is an optically coupled isolator consisting of an infrared light emitting diode and NPN silicon photo transistor in a space efficient dual in line plastic package. FEATURES • Marked as FPT1. • Current Transfer Ratio MIN. 50 • Isolation Voltage (3.75kVRMS,5.3kVPK) • All

ISOCOM

英国安数光

IS181D

IS181D - 光电耦合器, Transistor Output, 1通道, SOP, 4 引脚, 50 mA, 3.75 kV, 300 %

The IS181D is a 1-channel 4-pin high density mounting Optically Coupled Isolator consisting of an infrared light emitting diode and NPN silicon phototransistor. It is suitable for industrial systems controllers, signal transmission between systems of different potentials and impedances. ·All electrical parameters 100% tested\n·50mA Forward current\n·6V Reverse voltage\n·170mW Total power dissipation;

ISOCOM

英国安数光

IS181D

封装/外壳:4-SMD,鸥翼 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:OPTOISO 3.75KV TRANS MINI-FLAT 隔离器 光隔离器 - 晶体管,光电输出

ETC

知名厂家

VHF variable capacitance diode

DESCRIPTION The BB181 is a variable capacitance diode, fabricated in planar technology and encapsulated in the SOD523 (SC-79) ultra small plastic SMD package. FEATURES • Excellent linearity • Ultra small plastic SMD package • C28: 1 pF; ratio: 14. APPLICATIONS • Electronic tuning in satelli

PHILIPS

飞利浦

Silicon NPN Planar RF Transistor

Features • Low noise figure • High power gain • Lead (Pb)-free component • Component in accordance to RoHS 2002/95/EC    and WEEE 2002/96/EC Applications    For low noise and high gain broadband amplifiers at    collector currents from 0.5 mA to 12 mA.

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

POWER TRANSISTORS(3.0A,40-80V,12.5W)

COMPLEMENTARY SILICON PLASTIC POWER TRANSISTORS

MOSPEC

统懋

3 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 60-80 VOLTS 12.5 WATTS

3 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 60–80 VOLTS 12.5 WATTS . . . designed for low power audio amplifier and low current, high speed switching applications. • Collector–Emitter Sustaining Voltage — VCEO(sus) = 60 Vdc — MJE171, MJE181 VCEO(sus) = 80 Vdc — MJE172, MJE182

MOTOROLA

摩托罗拉

POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON

Complementary Plastic Silicon Power Transistors The MJE170/180 series is designed for low power audio amplifier and low current, high speed switching applications. Features • Collector−Emitter Sustaining Voltage − VCEO(sus) = 40 Vdc − MJE170, MJE180 = 60 Vdc − MJE171,

ONSEMI

安森美半导体

IS181D产品属性

  • 类型

    描述

更新时间:2026-8-1 20:28:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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  • IS-1009RH-抗辐射2.5V基准

    抗辐射2.5V基准天星*功率辐射硬化的IS -1009RH是一个2.5V分流稳压二极管旨在提供一个稳定的2.5V的参考在宽电流范围。该装置是为了维护稳定,在整个miitary温度范围和时间的推移。 0.2%参考宽容是通过片上微调。终端是提供一个调整,以便校准系统错误。这个终端来调整参考电压不影响温度系数。与Intersil的人工介质隔离EBHF过程中,这些设备是免疫的单事件闭锁 并经过特别设计,提供高性能可靠,在恶劣的辐射环境。准货币负债的抗辐射控制设备规格由哥伦布(DSCC)国防供应中心。该这里列出的贴片数字时必须使用的顺序。这些设备的详细电气规范载于贴片5962-00523。

    2013-3-23
  • IS-2100ARH-抗辐射高频半桥驱动

    抗辐射高频半桥驱动 辐射硬化的IS -2100ARH是一种高频率,130V半桥式N通道MOSFET驱动器IC,这是功能上类似于行业标准2110种。该lowside高边栅极驱动器可以独立控制。这使得在死时用户最大的灵活性选择和驱动程序的协议。此外,该器件具有片上错误检测和校正电路,可监控的高端的状态闩锁并比较它的显信号。如果他们不同意,一设置或复位脉冲生成正确的高侧闩锁。此功能保护高端单粒子锁定冷门(特修斯)。 特点 •电甄别,以DSCC贴片#5962-99536 •QML第合格的每符合MIL - PRF

    2013-3-1
  • IS-1715ARH-抗辐射互补开关FET驱动器

    抗辐射互补开关FET驱动器 辐射硬化的IS -1715ARH是一种高速,高当前互补功率FET设计中使用的驱动程序同步整流电路。软开关转换两个输出波形可通过设置管理独立的可编程延迟。延迟引脚可以通过配置零电压传感,让精确的开关控制。的IS -1715ARH有一个输入,这是PWM和TTL兼容,并能运行频率高达1MHz。该辅助输出开关立即在上升沿输入,但之前等待响应延迟为T2的下降沿。一个逻辑低使能引脚(ENBL)的地方俱进低有效输出模式,并根据电压的锁定(UVLO)功能功能设定在9伏(最大)。与Intersil的人工介质隔离抗辐射硅栅(体操)过程中,这些设备是免疫单粒子闭锁(SE

    2013-3-1