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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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IRLZ14L | Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay utilize advanced processing techniques to achieve extermely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that Power MOSFETs are well known for, provides the designer wit | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 |   | |
IRLZ14L | Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.20ohm, Id=10A) Description Third Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide | IRF | | |
IRLZ14L | Power MOSFET 文件：317.61 Kbytes Page：9 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | |
IRLZ14L | Power MOSFET | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | |
Power MOSFET 文件：317.61 Kbytes Page：9 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | |
IRLZ14L产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRLZ14L
- 功能描述
MOSFET N-Chan 60V 10 Amp
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Vishay |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应 |
|||
IR |
23+ |
TO-262 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
IR |
24+ |
NA |
4500 |
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718 |
|||
IR |
22+ |
TO-262 |
20000 |
公司只做原装 品质保障 |
|||
IR |
TO-262 |
68500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
IR |
24+ |
TO-262 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
|||
IR |
25+ |
TO-220 |
27500 |
原装正品,价格最低! |
|||
VISHAY |
20+ |
na |
65790 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
IR |
23+ |
TO-262 |
7000 |
||||
vishay |
25+ |
500000 |
行业低价,代理渠道 |
IRLZ14L规格书下载地址
IRLZ14L参数引脚图相关
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- ku波段
- kt250
- kse13005
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- jumper
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- jk触发器
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2020-7-16
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