40V 逻辑电平单 N 通道 StrongIRFET ™功率 MOSFET，采用 TO-220 封装

StrongIRFET™ 功率 MOSFET 系列针对低 RDS(on) 和高电流能力进行了优化。 这些器件非常适合要求高性能和耐用性的低频应用。丰富的产品组合适合广泛的应用，包括直流电机、电池管理系统、逆变器和 DC-DC 变换器。 • 高额定电流\n• 产品符合 JEDEC 标准\n• 针对低于 <100 kHz 开关应用进行优化的硅片\n• 与上一代硅片相比，体二极管更软\n• 行业标准通孔功率封装\n• 广泛的产品组合;

采用 DirectFET ™ ME 封装的 40V 单 N 通道 OptiMOS ™ 5 MOSFET

• 双面冷却\n• 最低封装电感\n• 最低 FOMg [RDS(on) x Qg/Qgd]\n• 符合 RoHS 6/6 标准;

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES · Drain Current -ID= 360A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 40V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.65mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION · DC/DC and AC/DC Converters · DC/AC Inverters

丝印代码：RL40T209；MOSFET IR MOSFET - StrongIRFETª

Benefits • Improved Gate and Avalanche Ruggedness • Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA • Improved ID rating • Pb-Free ; RoHS Compliant ; Halogen-Free Potential applications • Brushed Motor drive applications • BLDC Motor drive applications • Battery powered circuits • Hal

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40V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 TO-220AB 封装

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丝印代码：M247；OptiMOS짧5, 40 V

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丝印代码：D2PAK；isc N-Channel MOSFET Transistor

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