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位置：首页 > IC中文资料第3393页 > IRL3714ZSTRR

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRL3714ZSTRRPBF

MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK

Infineon

英飞凌

AH3714

HIGH-VOLTAGE HALL-EFFECT LATCH

Features  Bipolar Latch (South Pole: On, North Pole: Off)  3.0V to 27V Operating Voltage Range  40V Load Dump Protection  Sensitivity Options: BOP and BRP of ±30G to ±140G Typical  Resistant to Physical Stress  Single, Open-Drain or Internal Pullup Output with Overcurrent Limit  Cho

DIODES

美台半导体

AH3714A

HIGH-VOLTAGE HALL-EFFECT LATCH

Features  Bipolar Latch (South Pole: On, North Pole: Off)  3.0V to 27V Operating Voltage Range  40V Load Dump Protection  Sensitivity Options: BOP and BRP of ±30G to ±140G Typical  Resistant to Physical Stress  Single, Open-Drain or Internal Pullup Output with Overcurrent Limit  Cho

DIODES

美台半导体

AH3714-P-B

HIGH-VOLTAGE HALL-EFFECT LATCH

Features  Bipolar Latch (South Pole: On, North Pole: Off)  3.0V to 27V Operating Voltage Range  40V Load Dump Protection  Sensitivity Options: BOP and BRP of ±30G to ±140G Typical  Resistant to Physical Stress  Single, Open-Drain or Internal Pullup Output with Overcurrent Limit  Cho

DIODES

美台半导体

AH3714Q

AUTOMOTIVE HIGH-VOLTAGE HALL-EFFECT LATCH

Features  Bipolar Latch (South Pole: On, North Pole: Off)  3.0V to 27V Operating Voltage Range  40V Load Dump Protection  Sensitivity Options: BOP and BRP of ±30G to ±140G Typical  Resistant to Physical Stress  Single, Open-Drain Output with Overcurrent Limit  Chopper-Stabilized Desi

DIODES

美台半导体

AH3714Q-P-B

AUTOMOTIVE HIGH-VOLTAGE HALL-EFFECT LATCH

Features  Bipolar Latch (South Pole: On, North Pole: Off)  3.0V to 27V Operating Voltage Range  40V Load Dump Protection  Sensitivity Options: BOP and BRP of ±30G to ±140G Typical  Resistant to Physical Stress  Single, Open-Drain Output with Overcurrent Limit  Chopper-Stabilized Desi

DIODES

美台半导体

IRL3714ZSTRR产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRL3714ZSTRR

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK

  • RoHS

    否

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    HEXFET®

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型

    MOSFET N 通道，金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的

  • Vgs(th)（最大）

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

IRL3714ZSTRR供应商更多...

更新时间：2025-11-26 22:58:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市凌旭科技有限公司
IRL3715
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深圳市华来深电子有限公司
IRL3714ZSTRRPBF
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