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IRL3502

HEXFET Power MOSFET

Description These HEXFET Power MOSFETs were designed specifically to meet the demands of CPU core DC-DC converters. Advanced processing techniques combined with an optimized gate oxide design results in a die sized specifically to offer maximum efficiency at minimum cost. Advanced Process

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IRL3502

HEXFET Power MOSFET

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HEXFET Power MOSFET

INFINEON

英飞凌

HEXFET Power MOSFET

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MOSFET N-CH 20V 110A TO-262

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

HEXFET Power MOSFET

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HEXFET Power MOSFET

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HEXFET Power MOSFET

INFINEON

英飞凌

HEXFET Power MOSFET

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IRF

HIGH CURRENT SILICON BRIDGE RECTIFIER(VOLTAGE - 50 to 1000 Volts CURRENT - 35 Amperes)

VOLTAGE - 50 to 1000 Volts CURRENT - 35 Amperes FEATURES • Plastic material has Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-O • The plastic package has Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-O. • Surge overload ratings to 400 Amperes .

PANJIT

強茂

IN-LINE HIGH CURRENT SILICON BRIDGE RECTIFIERS(VOLTAGE - 50 to 800 Volts CURRENT - 15 to 35 Amperes)

VOLTAGE - 50 to 800 Volts CURRENT - 15 to 35 Amperes FEATURES ● Plastic Case With Heatsink For Heat Dissipation ● Surge Overload Ratings to 400 Amperes ● The plastic package has Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-O

PANJIT

強茂

4-BIT SINGLE CHIP MICRO CONTROLLER???

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日本无线

4-BIT SINGLE CHIP MICRO CONTROLLER???

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日本无线

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IRL3502产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRL3502

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 20V 110A TO-220AB

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    HEXFET®

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2026-8-3 13:45:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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