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位置：首页 > IC中文资料第6470页 > IRL3302S

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRL3302S

HEXFET Power MOSFET

文件：90.4 Kbytes Page：8 Pages

IRF

IRL3302SPBF

HEXFET Power MOSFET

文件：320.38 Kbytes Page：9 Pages

IRF

IRL3302SPBF

HEXFET Power MOSFET

Infineon

英飞凌

3302

200 V - 1,000 V Three Phase Bridge 9.0 A - 10.0 A Forward Current 70 ns - 3000 ns Recovery Time

9.0 A - 10.0 A Forward Current 70 ns - 3000 ns Recovery Time

VMI

3302

KR Electronics part number 3302 is a 300 MHz bandpass filter

General Description KR Electronics part number 3302 is a 300 MHz bandpass filter. The filter has a 3 dB bandwidth of 10 MHz. Other frequencies are available. Please consult the factory. Features ● 300 MHz Bandpass Filter ● 3 dB Bandwidth 10 MHz ±1 MHz ● 40 dB Bandwidth 59 MHz typical ● 50 Ω

KR

KR Electronics, Inc.

3302

Shielded Aluminum Box, Size F With BNC Females Both Ends

MATERIALS: Shielded Housing: Extruded Aluminum, Alloy 6063-T5 Finish: Blue paint per Federal Standard 595, #25109 over primer wash per DOD-P-15328 Connector: 2 each BNC Female Finish: Body and Fittings – Tarnish Resistant. Center Contact – Gold plated Turret Screws: 4 each #3-3

POMONA

Pomona Electronics

3302

Trimmer

文件：146.39 Kbytes Page：2 Pages

Bourns

伯恩斯

3302

3M Color Coded Flat Cable - .050 28 AWG Stranded, PVC

文件：1.38945 Mbytes Page：5 Pages

3M

IRL3302S产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRL3302S

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 20V 39A D2PAK

  • RoHS

    否

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    HEXFET®

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型

    MOSFET N 通道，金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的

  • Vgs(th)（最大）

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

IRL3302S供应商更多...

更新时间：2025-9-17 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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IRL3302S
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