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IRGVH50F

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Description Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) from International Rectifier have higher usable current densities than comparable bipolar transistors, while at the same time having simpler gate-drive requirements of the familiar power MOSFET. They provide substantial benefits to a host of

IRF

IRGVH50F

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Infineon

英飞凌

IRGVH50F产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRGVH50F

  • 功能描述

    TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 45A I(C) | TO-258AA

更新时间:2026-1-4 20:00:00
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