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IRGSL30B60KPBF价格
参考价格：￥12.1518
型号：IRGSL30B60KPBF 品牌：IR 备注：这里有IRGSL30B60KPBF多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IRGSL30B60KPBF批发/采购报价，IRGSL30B60KPBF行情走势销售排行榜，IRGSL30B60KPBF报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IRGSL30B60KPBF | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features • Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology • 10µs Short Circuit Capability • Square RBSOA • Positive VCE (on) Temperature Coefficient • Maximum Junction Temperature rated at 175°C • Lead-Free Benefits • Benchmark Efficiency for Motor Control • Rugged Transient Performance | IRF |   | |
IRGSL30B60KPBF | 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 包装：卷带（TR） 描述：IGBT 600V 78A 370W TO262 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | Infineon 英飞凌 | | |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features • Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. • 10µs Short Circuit Capability. • Square RBSOA. • Positive VCE (on) Temperature Coefficient. • Maximum Junction Temperature rated at 175°C. Benefits • Benchmark Efficiency for Motor Control. • Rugged Transient Performance. • Low | IRF | | ||
TO247 PACKAGE MARKING DESCRIPTION 文件：108.48 Kbytes Page：1 Pages | AOSMD 万国半导体 | | ||
TO247 PACKAGE MARKING DESCRIPTION 文件：108.48 Kbytes Page：1 Pages | AOSMD 万国半导体 | | ||
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 文件：310.77 Kbytes Page：15 Pages | IRF | | ||
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 文件：310.77 Kbytes Page：15 Pages | IRF | |
IRGSL30B60KPBF产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRGSL30B60KPBF
- 功能描述
IGBT 晶体管 600V UltraFast 10-30kHz IGBT
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
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2020-10-27IRGB15B60KDPBF IR全新正品现货
原装正品现货热卖中，焕盛达-专注原装 用芯服务；
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IRL2203NPBF 厂家：IR 封装：TO-220 现货热卖 原厂原包装，只做原装，假一赔万 !!! 欢迎致电 上海意淼张小姐 18301798078 021-61316368 QQ:2719102545
2019-10-11IRL1004STRRPBF公司大量原装正品现货/长期供应
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2019-5-8
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