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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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IRGPH40 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=17A) Description InsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)fromInternationalRectifierhavehigherusablecurrentdensitiesthancomparablebipolartransistors,whileatthesametimehavingsimplergate-driverequirementsofthefamiliarpowerMOSFET.Theyprovidesubstantialbenefitstoahostof | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 |  |   |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=17A) Description InsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)fromInternationalRectifierhavehigherusablecurrentdensitiesthancomparablebipolartransistors,whileatthesametimehavingsimplergate-driverequirementsofthefamiliarpowerMOSFET.Theyprovidesubstantialbenefitstoahostof | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=17A) Description Co-packagedIGBTsareanaturalextensionofInternationalRectifierswellknownIGBTline.TheyprovidetheconvenienceofanIGBTandanultrafastrecoverydiodeinonepackage,resultinginsubstantialbenefitstoahostofhigh-voltage,high-current,motorcontrol,UPSandpowers | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=18A) Description InsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)fromInternationalRectifierhavehigherusablecurrentdensitiesthancomparablebipolartransistors,whileatthesametimehavingsimplergate-driverequirementsofthefamiliarpowerMOSFET.Theyprovidesubstantialbenefitstoahostof | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=18A) Description Co-packagedIGBTsareanaturalextensionofInternationalRectifierswellknownIGBTline.TheyprovidetheconvenienceofanIGBTandanultrafastrecoverydiodeinonepackage,resultinginsubstantialbenefitstoahostofhigh-voltage,high-current,applications. Thesenewshort | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=20A) Description InsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)fromInternationalRectifierhavehigherusablecurrentdensitiesthancomparablebipolartransistors,whileatthesametimehavingsimplergate-driverequirementsofthefamiliarpowerMOSFET.Theyprovidesubstantialbenefitstoahostof | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
封装/外壳：TO-247-3 包装：卷带（TR） 描述：IGBT FAST 1200V 29A TO-247AC 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 |  | | |
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IRGPH40产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRGPH40
- 制造商
IRF
- 制造商全称
International Rectifier
- 功能描述
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=17A)
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
23+ |
TO-247 |
15000 |
全新原装现货,价格优势 |
|||
IR |
23+ |
原厂封装 |
9888 |
专做原装正品,假一罚百! |
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INFINEON |
2019 |
TO-247AC |
55000 |
原装进口假一罚十 |
|||
IR |
24+ |
TO247 |
58000 |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
|||
Infineon Technologies |
21+ |
TO247AC |
13880 |
公司只售原装,支持实单 |
|||
Infineon Technologies |
23+ |
原装 |
5000 |
原装正品,提供BOM配单服务 |
|||
IR |
23+ |
TO-247 |
35890 |
||||
Infineon |
22+ |
NA |
2118 |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
|||
IR |
00+ |
TO-3P |
60 |
||||
INTERNATIONA |
05+ |
原厂原装 |
4766 |
只做全新原装真实现货供应 |
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2019-5-8
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