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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=900V, @Vge=15V, Ic=28A)

Description Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) from International Rectifier have higher usable current densities than comparable bipolar transistors, while at the same time having simpler gate-drive requirements of the familiar power MOSFET. They provide substantial benefits to a host of

IRF

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IRF

封装/外壳:TO-247-3 包装:卷带(TR) 描述:IGBT FAST 900V 51A TO-247AC 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

Infineon

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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=900V, @Vge=15V, Ic=28A)

Infineon

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更新时间:2025-10-6 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
24+
NA/
3310
原装现货,当天可交货,原型号开票
IR
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TO-247
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代理全系列销售,全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订
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TO 247
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明嘉莱只做原装正品现货
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24+
TO-3P
3120
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25+
管3P
18000
原厂直接发货进口原装
VISHAY
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百
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23+
TO-3P
5000
原装正品,假一罚十
IR
23+
TO-247
6000
原装正品,支持实单
Infineon Technologies
23+
原装
7000
VISHAY
11+
TO-247
32
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