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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=900V, @Vge=15V, Ic=28A)

Description Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) from International Rectifier have higher usable current densities than comparable bipolar transistors, while at the same time having simpler gate-drive requirements of the familiar power MOSFET. They provide substantial benefits to a host of

IRF

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IRF

封装/外壳:TO-247-3 包装:卷带(TR) 描述:IGBT FAST 900V 51A TO-247AC 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

Infineon

英飞凌

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=900V, @Vge=15V, Ic=28A)

Infineon

英飞凌

更新时间:2025-11-22 16:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
24+
TO-3P
3120
IR
25+
管3P
18000
原厂直接发货进口原装
IR
2025+
TO247
3872
全新原厂原装产品、公司现货销售
IR
23+
TO-3P
5000
原装正品,假一罚十
Infineon Technologies
22+
TO247AC
9000
原厂渠道,现货配单
IR
23+
TO-3P
45000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
IR
TO-247
68500
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
Infineon Technologies
23+
原装
7000
VISHAY
11+
TO-247
32
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
VISHAY
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百

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