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IRGPF40F	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=900V,@Vge=15V, Ic=17A) Description Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) from International Rectifier have higher usable current densities than comparable bipolar transistors, while at the same time having simpler gate-drive requirements of the familiar power MOSFET. They provide substantial benefits to a host of	IRF	IRF
IRGPF40F	Fit Rate / Equivalent Device Hours 文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	IRF	IRF
IRGPF40F	封装/外壳：TO-247-3 包装：卷带（TR）描述：IGBT FAST 900V 31A TO-247AC 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单	Infineon 英飞凌	Infineon
IRGPF40F	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=900V,@Vge=15V, Ic=17A)	Infineon 英飞凌	Infineon

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更新时间：2025-11-22 16:30:00

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深圳市一线半导体有限公司	IRGPF50FD2	IR	24+	TO-3P	3120		询价
谛辉(北京/上海/青岛 )电子科技有限公司	IRGPF50F	IR	25+	管3P	18000	原厂直接发货进口原装	询价
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深圳市河锋鑫科技有限公司	IRGPF40F	Infineon Technologies	22+	TO247AC	9000	原厂渠道,现货配单	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	IRGPF40F	IR	23+	TO-247	10000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
深圳市赛美科科技有限公司	IRGPF50F	IR		TO-247	68500	一级代理原装正品假一罚十价格优势长期供货	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	IRGPF40F	Infineon Technologies	23+	原装	8000	只做原装现货	询价
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深圳市科达星科技有限公司	IRGPF40F	IR	24+	TO-3P	27500	原装正品,价格最低!	询价

IRGP4266D-EPBF
IRGP4266D-EPBF
2023-12-11
IRG4PC50WPBF
属性参数值商品目录 IGBT管集电极电流（Ic）（最大值） 55A 集射极击穿电压（最大值） 600V 类型 - 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） 2.3V @ 15V，27A 栅极阈值电压-VGE(th) 6V @ 250uA
2020-10-27
IRGB15B60KDPBF IR全新正品现货
原装正品现货热卖中，焕盛达-专注原装用芯服务；
2020-7-17
IRKD7104，IRKD71-04，IRKD71-06，IRKD71-08，IRKD71-16，IRKD91-04
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2020-1-12
IRL2203NPBF 原装现货热卖！！！！
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2019-10-11
IRL1004STRRPBF公司大量原装正品现货/长期供应
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2019-5-8