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IRGPF20F

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=900V, @Vge=15V, Ic=5.3A)

Description Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) from International Rectifier have higher usable current densities than comparable bipolar transistors, while at the same time having simpler gate-drive requirements of the familiar power MOSFET. They provide substantial benefits to a host of

IRF

IRGPF20F

Fit Rate / Equivalent Device Hours

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IRF

IRGPF20F

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=900V, @Vge=15V, Ic=5.3A)

INFINEON

英飞凌

IRGPF20F产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRGPF20F

  • 制造商

    IRF

  • 制造商全称

    International Rectifier

  • 功能描述

    Fit Rate/Equivalent Device Hours

更新时间:2026-5-20 22:58:00
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