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INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODEMotorControlCo-PackIGBT

Features •LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. •LowDiodeVF. •10µsShortCircuitCapability. •SquareRBSOA. •UltrasoftDiodeReverseRecoveryCharacteristics. •PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. •Super-247Package. •Lead-Free Benefits •BenchmarkEfficiencyfo

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更新时间:2024-6-5 20:00:01
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