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IGBT

DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.35V(Max)@IC=33A ·HighCurrentCapability ·HighInputImpedance ·FastSwitching APPLICATIONS ·Ultrafasttailcurrentshutoff ·AutomotiveChargers ·HighVoltageAuxiliaries

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

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InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

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更新时间:2024-10-31 20:00:01
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