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IRGP430UD2	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=500V, @Vge=15V, Ic=15A) Description Co-packaged IGBTs are a natural extension of International Rectifiers well known IGBT line. They provide the convenience of an IGBT and an ultrafast recovery diode in one package, resulting in substantial benefits to a host of high-voltage, high-current, motor control, UPS and power s	IRF	IRF
IRGP430UD2	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=500V, @Vge=15V, Ic=15A)	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IRGB430UD2	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=500V, @Vge=15V, Ic=15A) Description Co-packaged IGBTs are a natural extension of International Rectifiers well known IGBT line. They provide the convenience of an IGBT and an ultrafast recovery diode in one package, resulting in substantial benefits to a host of high-voltage, high-current, motor control, UPS and power s	IRF	IRF
IRGB430UD2	Fit Rate / Equivalent Device Hours 文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	IRF	IRF

类型
描述
型号
IRGP430UD2
制造商
IRF
制造商全称
International Rectifier
功能描述
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=500V, @Vge=15V, Ic=15A)

IRGP430UD2供应商更多...

更新时间：2026-5-21 14:40:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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IRL1404ZPBF 大功率 MOS 管 DC-DC 转换器、电机驱动、逆变器、电池保护、开关电源、电动工具、大功率负载开关
IRL1404ZPBF 是英飞凌 / IR 推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用逻辑电平驱动，适合低压大电流开关应用，为工业级标准器件。
2026-4-16
IRGP4266D-EPBF
IRGP4266D-EPBF
2023-12-11
IRG4PC50WPBF
属性参数值商品目录 IGBT管集电极电流（Ic）（最大值） 55A 集射极击穿电压（最大值） 600V 类型 - 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） 2.3V @ 15V，27A 栅极阈值电压-VGE(th) 6V @ 250uA
2020-10-27
IRGB15B60KDPBF IR全新正品现货
原装正品现货热卖中，焕盛达-专注原装用芯服务；
2020-7-17
IRKD7104，IRKD71-04，IRKD71-06，IRKD71-08，IRKD71-16，IRKD91-04
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2020-1-12
IRL1004STRRPBF公司大量原装正品现货/长期供应
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2019-5-8