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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRGI4060DPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA FAST RECOVERY DIODE

Features • Low VCE (on) Trench IGBT Technology • Low Switching Losses • 5μs SCSOA • Square RBSOA • 100 of The Parts Tested for ILM • Positive VCE (on) Temperature Coefficient. • Ultra Fast Soft Recovery Co-pak Diode • Tighter Distribution of Parameters • Lead-Free Package Benefits • Hi

IRF

IRGI4060DPBF

封装/外壳:TO-220-3 整包 包装:管件 描述:IGBT 600V 14A 37W TO220ABFP 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

INFINEON

英飞凌

IRGI4060DPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA FAST RECOVERY DIODE

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14-Stage, 12-Stage Ripple Carry Binary Counters

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NSC

国半

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IRGI4060DPBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRGI4060DPBF

  • 功能描述

    IGBT 600V 14A W/DIO TO-220AB FP

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> IGBT - 单路

  • 系列

    -

  • 标准包装

    30

  • 系列

    GenX3™ IGBT

  • 类型

    PT 电压 -

  • 集电极发射极击穿(最大)

    1200V Vge,

  • Ic时的最大Vce(开)

    3V @ 15V,100A 电流 -

  • 集电极(Ic)(最大)

    200A 功率 -

  • 最大

    830W

  • 输入类型

    标准

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-247-3

  • 供应商设备封装

    PLUS247?-3

  • 包装

    管件

更新时间:2026-3-17 19:31:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon Technologies
22+
TO220AB FullPak
9000
原厂渠道,现货配单
IR
08+
TO220F
60
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
IR
25+
TO-220F
30000
全新原装现货,价格优势
IR
2016+
TO220F
6000
公司只做原装,假一罚十,可开17%增值税发票!
IR
21+
TO-220
30000
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税
IR
25+
TO220F
18600
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
IR
23+
TO220
3000
原装正品假一罚百!可开增票!
IR
24+
TO-220AB
140
IR
TO220
1000
原装长期供货!
IR
10+
TO220F
3216
全新 发货1-2天

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