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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IRGI4060DPBF | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA FAST RECOVERY DIODE Features • Low VCE (on) Trench IGBT Technology • Low Switching Losses • 5μs SCSOA • Square RBSOA • 100 of The Parts Tested for ILM • Positive VCE (on) Temperature Coefficient. • Ultra Fast Soft Recovery Co-pak Diode • Tighter Distribution of Parameters • Lead-Free Package Benefits • Hi | IRF |   | |
IRGI4060DPBF | 封装/外壳：TO-220-3 整包 包装：管件 描述：IGBT 600V 14A 37W TO220ABFP 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | INFINEON 英飞凌 | | |
IRGI4060DPBF | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA FAST RECOVERY DIODE | INFINEON 英飞凌 | | |
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IRGI4060DPBF产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRGI4060DPBF
- 功能描述
IGBT 600V 14A W/DIO TO-220AB FP
- RoHS
是
- 类别
分离式半导体产品 >> IGBT - 单路
- 系列
-
- 标准包装
30
- 系列
GenX3™ IGBT
- 类型
PT 电压 -
- 集电极发射极击穿（最大）
1200V Vge,
- Ic时的最大Vce（开）
3V @ 15V，100A 电流 -
- 集电极(Ic)（最大）
200A 功率 -
- 最大
830W
- 输入类型
标准
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-247-3
- 供应商设备封装
PLUS247?-3
- 包装
管件
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
25+ |
TO220F |
10000 |
原装现货假一罚十 |
|||
IR |
22+ |
TO220 |
12245 |
现货,原厂原装假一罚十! |
|||
IR |
24+ |
TO-3P |
1070 |
||||
IR |
24+ |
TO220 |
65200 |
一级代理/放心采购 |
|||
IR |
10+ |
TO220F |
3216 |
全新 发货1-2天 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
TO220 |
39197 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
|||
Infineon Technologies |
22+ |
TO220AB FullPak |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
IR |
26+ |
SOD123W |
86720 |
全新原装正品价格最实惠 假一赔百 |
|||
IR |
2025+ |
TO-3P |
4675 |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
|||
IR |
25+ |
TO220 |
18600 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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- j111
- j108
- isd1420
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- IRH8054
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- IRH7250
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