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IRGBC20S

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=10A)

Description Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) from International Rectifier have higher usable current densities than comparable bipolar transistors, while at the same time having simpler gate-drive requirements of the familiar power MOSFET. They provide substantial benefits to a host of

IRF

IRGBC20S

Fit Rate / Equivalent Device Hours

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IRF

IRGBC20S

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=10A)

INFINEON

英飞凌

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=10A)

INFINEON

英飞凌

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=10A)

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IRF

IRGBC20S产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRGBC20S

  • 制造商

    Conitec Datasystems

  • 功能描述

    Adapter 24 pin DIL => 28 pin PLCC

更新时间:2026-8-2 22:58:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
2016+
TO220
6000
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