IRG7PH46UPBF价格

参考价格:¥43.6982

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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRG7PH46UPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Features • Low VCE (ON) trench IGBT technology • Low switching losses • Maximum junction temperature 175 °C • Square RBSOA • 100 of the parts tested for ILM • Positive VCE (ON) temperature co-efficient • Tight parameter distribution • Lead -Free Benefits • High efficiency in a wide range

IRF

IRG7PH46UPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

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IRF

IRG7PH46UPBF

封装/外壳:TO-247-3 包装:管件 描述:IGBT 1200V 130A 469W TO247AC 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

Infineon

英飞凌

IRG7PH46UPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Infineon

英飞凌

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Features • Low VCE (ON) trench IGBT technology • Low switching losses • Maximum junction temperature 175 °C • Square RBSOA • 100 of the parts tested for ILM • Positive VCE (ON) temperature co-efficient • Tight parameter distribution • Lead -Free Benefits • High efficiency in a wide range

IRF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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IRF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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IRF

IRG7PH46UPBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRG7PH46UPBF

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 1200V 108A

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-28 16:59:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY
24+
TO-247
12000
VISHAY专营进口原装现货假一赔十
IR(国际整流器)
25+
封装
500000
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞
Infineon Technologies
23+
原装
8000
只做原装现货
Infineon Technologies
22+
TO247AC
9000
原厂渠道,现货配单
IR
25+
TO-247AC
12300
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
Infineon
24+
NA
3247
进口原装正品优势供应
ir
25+
500000
行业低价,代理渠道
Infineon Technologies
24+
原装
5000
原装正品,提供BOM配单服务
IR
23+
TO-247
32365
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
24+
N/A
67000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择

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