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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRFZ48L

HEXFET Power MOSFET

Description Advanced HEXFET®Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, p

IRF

IRFZ48L

Power MOSFET

DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that Power MOSFETs are well known for, provides the designer wit

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRFZ48L

Power MOSFET

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VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRFZ48L

Power MOSFET

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IRFZ48L

HEXFET Power MOSFET

Infineon

英飞凌

IRFZ48L

Power MOSFET

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VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRFZ48L

HEXFET Power MOSFET

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ARTSCHIP

IRFZ48LPBF

Power MOSFET

DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that Power MOSFETs are well known for, provides the designer wit

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IRFZ48L产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRFZ48L

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 60V 50A TO-262

  • RoHS

    否

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    -

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型

    MOSFET N 通道，金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的

  • Vgs(th)（最大）

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

IRFZ48L供应商更多...

更新时间：2026-1-2 14:14:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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