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IRFZ44VS

Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=16.5mohm, Id=55A)

Description Advanced HEXFET®Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, pr

IRF

HEXFET Power MOSFET

Description Advanced HEXFET®Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, pr

IRF

IRFZ44VS产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRFZ44VS

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    HEXFET®

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2025-11-21 10:34:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
2023+
D2-PAK
50000
原装现货
Infineon Technologies
22+
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T
9000
原厂渠道,现货配单
INFINEON/英飞凌
24+
TO-263
47186
郑重承诺只做原装进口现货
IR
22+
TO-263
8000
原装正品支持实单
IR
21+
D2-Pak
10000
原装现货假一罚十
NK/南科功率
2025+
TO-263-2
986966
国产
International Rectifier
2022+
1
全新原装 货期两周
IR
23+
D2-Pak
50000
全新原装正品现货,支持订货
IR
23+
TO-263
11846
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
IR
2450+
TO-263
9850
只做原装正品现货或订货假一赔十!

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