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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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IRFZ44VL | Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=16.5mohm, Id=55A) Description Advanced HEXFET®Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, pr | IRF |   | |
IRFZ44VL | HEXFET® Power MOSFET | INFINEON 英飞凌 | | |
HEXFET Power MOSFET Description Advanced HEXFET®Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, pr | IRF | |
IRFZ44VL产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRFZ44VL
- 制造商
IRF
- 制造商全称
International Rectifier
- 功能描述
Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=16.5mohm, Id=55A)
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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IR |
2016+ |
TO-220 |
3500 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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IR |
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IR |
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TO220 |
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IR |
1650+ |
TO220 |
25560 |
只做原装进口,假一罚十 |
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IR |
23+ |
TO-262 |
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VBsemi(台湾微碧) |
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IRFZ44VL参数引脚图相关
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IRFZ44NSTRLPBF 原装正品.仓库现货
华富芯深圳智能科技 有限公司
2021-11-24IRG4PC40KPBF 原装正品.仓库现货
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2021-11-23IRFZ44NPBF原装现货
IRFZ44NPBF原装正品
2021-8-10IRG4PC50WPBF
属性 参数值 商品目录 IGBT管 集电极电流（Ic）（最大值） 55A 集射极击穿电压（最大值） 600V 类型 - 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） 2.3V @ 15V，27A 栅极阈值电压-VGE(th) 6V @ 250uA
2020-10-27IRGB15B60KDPBF IR全新正品现货
原装正品现货热卖中，焕盛达-专注原装 用芯服务；
2020-7-17IRFZ44NPBF选拓亿芯电子，国际电子元器件供应商
元器件优质供应
2019-11-1
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