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IRFZ44ES价格

参考价格：￥3.3315

型号：IRFZ44ESPBF 品牌：IR 备注：这里有IRFZ44ES多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IRFZ44ES批发/采购报价，IRFZ44ES行情走势销售排行榜，IRFZ44ES报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRFZ44ES

Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.023ohm, Id=48A)

Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide

IRF

IRFZ44ES

Advanced Process Technology

文件：174.18 Kbytes Page：11 Pages

IRF

IRFZ44ES

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件：318.38 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

IRFZ44ES

采用 D²PAK 封装的 IR MOSFET 60 V

Infineon

英飞凌

IRFZ44ESPBF

HEXFET짰 Power MOSFET

Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide

IRF

IRFZ44ESPBF

Advanced Process Technology

Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide

IRF

IRFZ44ESTRLPBF

Advanced Process Technology

Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide

IRF

IRFZ44ESL

Advanced Process Technology

文件：174.18 Kbytes Page：11 Pages

IRF

IRFZ44ESPBF

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

文件：1.36463 Mbytes Page：9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

IRFZ44ESPBF

ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

文件：239.75 Kbytes Page：11 Pages

IRF

IRFZ44ESPBF_15

ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

文件：239.75 Kbytes Page：11 Pages

IRF

IRFZ44ES产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRFZ44ES

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK

  • RoHS

    否

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    HEXFET®

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型

    MOSFET N 通道，金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的

  • Vgs(th)（最大）

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

IRFZ44ES供应商更多...

更新时间：2025-10-8 22:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市纳艾斯科技有限公司
IRFZ44ES
IR
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IRFZ44ES
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