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IRFU120Z价格

参考价格：￥2.5395

型号：IRFU120ZPBF 品牌：IR 备注：这里有IRFU120Z多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IRFU120Z批发/采购报价，IRFU120Z行情走势销售排行榜，IRFU120Z报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRFU120Z

AUTOMOTIVE MOSFET

AUTOMOTIVE MOSFET Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switch

IRF

IRFU120Z

AUTOMOTIVE MOSFET

AUTOMOTIVE MOSFET Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switch

KERSEMI

IRFU120Z

AUTOMOTIVE MOSFET

Features ● Advanced Process Technology ● Ultra Low On-Resistance ● 175°C Operating Temperature ● Fast Switching ● Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax

IRF

IRFU120Z

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件：247.24 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

IRFU120ZPBF

AUTOMOTIVE MOSFET

AUTOMOTIVE MOSFET Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switch

KERSEMI

IRFU120ZPBF

AUTOMOTIVE MOSFET

AUTOMOTIVE MOSFET Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switch

KERSEMI

IRFU120ZPBF

AUTOMOTIVE MOSFET

AUTOMOTIVE MOSFET Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switch

IRF

120

Precision Wirewound Resistors

100 Series / SM Series / PC Series • Resistances to 6 Megohms • Resistance Tolerances to ±0.005 • Temperature Coeffcients of ±2 ppm/°C • High TCR Available (Balco & Platinum Wire) • 100 Acceptance Tested / Traceable to NIST • Long Term Stability / 100ppm/year • Matched Resistance Sets t

Riedon

120

SHIELDED SMT POWER INDUCTORS

● FEATURE Various high power inductor are Superior to be high saturation for surface mounting ● APPLICATIONS 2 DC/DC converter power supply, Telecommunication equipment

PRODUCTWELL

120

THREADED INSERT, BLIND, REGULAR HEAD STYLE LIGHT DUTY-PRESS IN

文件：106.68 Kbytes Page：1 Pages

WITTEN

120

Precision Wirewound Resistors

文件：318.25 Kbytes Page：2 Pages

Riedon

120

Temperature Sensors Line Guide

文件：736.09 Kbytes Page：11 Pages

Honeywell

霍尼韦尔

IRFU120Z产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRFU120Z

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 100V 8.7A I-PAK

  • RoHS

    否

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    HEXFET®

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型

    MOSFET N 通道，金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的

  • Vgs(th)（最大）

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

IRFU120Z供应商更多...

更新时间：2025-10-4 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市得捷芯城科技有限公司
IRFU120Z
IR(国际整流器)
24+
NA/
8735
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深圳市华斯顿科技有限公司
IRFU120Z
IR
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深圳市一线半导体有限公司
IRFU120ZPBF
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24+
TO-251
1002
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易创佳业科技（深圳）有限公司
IRFU120Z
Infineon Technologies
23+
TO2513 Short Leads IPak TO251A
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深圳市安富世纪电子有限公司
IRFU120Z
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天津市博通航睿技术有限公司
IRFU120Z
Infineon Technologies
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原装
7000
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深圳市能元时代电子有限公司
IRFU120ZPBF
IR
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TO-251
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深圳市威雅利发展有限公司
IRFU120ZPBF
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TO-251
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深圳市博中泰实业有限公司
IRFU120ZPBF低压MOS管
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60000
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深圳市亿智腾科技有限公司
IRFU120Z
Infineon Technologies
24+
原装
5000
原装正品,提供BOM配单服务
询价

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