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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IRFSL4710PBF | HEXFET짰PowerMOSFET 文件：667.87 Kbytes Page：12 Pages | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 |  |   |
IECApplianceOutletJ,Snap-inMounting,FrontSide,IDCTerminal 文件：457.32 Kbytes Page：6 Pages | SCHURTERSchurter Inc. 硕特硕特集团 |  | | |
IECApplianceOutletJ,Snap-inMounting,FrontSide,IDCTerminal 文件：441.78 Kbytes Page：5 Pages | SCHURTERSchurter Inc. 硕特硕特集团 | | | |
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3M??Novec??4710InsulatingGas 文件：394.45 Kbytes Page：4 Pages | 3MMinnesota Mining and Manufacturing 明尼苏达矿务明尼苏达矿务及制造业公司 |  | | |
IECApplianceOutletJ,Snap-inMounting,FrontSide,IDCTerminal 文件：464.11 Kbytes Page：6 Pages | SCHURTERSchurter Inc. 硕特硕特集团 | | |
IRFSL4710PBF产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRFSL4710PBF
- 功能描述
MOSFET N-CH 100V 75A TO-262
- RoHS
是
- 类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列
HEXFET®
- 标准包装
1,000
- 系列
MESH OVERLAY™ FET
- 型
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大
40W
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装
TO-220FP
- 包装
管件
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
2015+ |
TO-262 |
12500 |
全新原装,现货库存长期供应 |
|||
IR |
22+ |
TO-262 |
10000 |
绝对全新原装现货 |
|||
Infineon Technologies |
23+ |
TO2623 Long Leads I2Pak TO262A |
9000 |
原装正品，支持实单 |
|||
Infineon Technologies |
21+ |
TO2623 Long Leads I2Pak TO262A |
13880 |
公司只售原装,支持实单 |
|||
IR |
23+ |
TO-262 |
10000 |
专做原装正品,假一罚百! |
|||
IR |
08+(pbfree) |
TO-262 |
8866 |
||||
IR |
TO-262 |
501165 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
||||
VISHAY-威世 |
24+25+/26+27+ |
TO-262-3 |
78800 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
|||
IR |
2020+ |
TO-262 |
16800 |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!? |
|||
IR |
23+ |
TO-262-3 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
IRFSL4710PBF芯片相关品牌
IRFSL4710PBF规格书下载地址
IRFSL4710PBF参数引脚图相关
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