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位置：首页 > IC中文资料第4873页 > IRFSL31N20D

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRFSL31N20D

Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.082ohm, Id=31A)

Applications High frequency DC-DC converters Benefits Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses Fully Characterized Capacitance Including Effective COSSto Simplify Design, Fully Characterized Avalanche Voltage and Current

IRF

IRFSL31N20D

Isc N-Channel MOSFET Transistor

文件：300.29 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

IRFSL31N20D

MOSFET N-CH 200V 31A TO-262

INFINEON

英飞凌

IRFSL31N20DPBF

HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 200V , RDS(on)max = 0.082廓 , ID = 31A )

Applications High Frequency DC-DC converters Lead-Free  Benefits Low Gate to Drain to Reduce Switching Losses Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, Fully Characterized Avalanche Voltage and Current

IRF

IRFSL31N20DPBF

High Frequency DC-DC converters

文件：296.29 Kbytes Page：12 Pages

IRF

IRFB31N20

Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.082ohm, Id=31A)

Applications High frequency DC-DC converters Benefits Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses Fully Characterized Capacitance Including Effective COSSto Simplify Design, Fully Characterized Avalanche Voltage and Current

IRF

IRFS31N20D

Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.082ohm, Id=31A)

Applications High frequency DC-DC converters Benefits Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses Fully Characterized Capacitance Including Effective COSSto Simplify Design, Fully Characterized Avalanche Voltage and Current

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IRFS31N20DPBF

HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 200V , RDS(on)max = 0.082廓 , ID = 31A )

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IRF

IRFSL31N20D产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRFSL31N20D

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 200V 31A TO-262

  • RoHS

    否

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    HEXFET®

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型

    MOSFET N 通道，金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的

  • Vgs(th)（最大）

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

IRFSL31N20D供应商更多...

更新时间：2026-7-30 8:40:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
京海半导体(深圳)有限公司
IRFSL31N20DPBF
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