| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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Low voltage fast-switching PNP power transistor Description The device is a PNP transistor manufactured using new “PB-HCD” (power bipolar high current density) technology. The resulting transistor shows exceptional high gain performances coupled with very low saturation voltage. Features • Very low collector-emitter saturation voltage • Hig | STMICROELECTRONICS 意法半导体 |   | ||
MINIATURE FUSES - 5x20 mm 文件：60.42 Kbytes Page：2 Pages | Littelfuse 力特 | | ||
5x20 mm MINIATURE FUSES 文件：60.72 Kbytes Page：2 Pages | Littelfuse 力特 | | ||
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1/4 FLAT PLUG PHONE PLUGS 文件：26.97 Kbytes Page：1 Pages | SWITCH | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
weinschel |
24+ |
N |
14 |
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TE/泰科 |
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NA |
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2022-10-19IRFR13N20DTRPBF
联系人张生 电话19926428992 QQ1924037095
2021-10-12IRFR13N20DTRPBF
属性 参数值 商品目录 场效应管(MOSFET) 漏源电压(Vdss) 200V 连续漏极电流(Id) 13A 功率(Pd) 110W 导通电阻(RDS(on)@Vgs，Id) 235mΩ 10V，8A 阈值电压(Vgs(th)@Id) 5.5V 250μA 类型 N沟道
2021-10-12IRFR320TRPBF深圳原装进口无铅现货
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2021-1-26IRFR320TRPBF深圳原装无铅现货
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2020-12-24IRFR2405PDF资料原装正品供应商
IRFR2405 PDF资料
2019-1-28
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