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IRFR210TRLPBFA

Power MOSFET

DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The DPAK is designed for surface mounting using vapor phase, infrared, or wave soldering techniques. Th

KERSEMI

IRFR210TRLPBFA

Power MOSFET

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MARL

更新时间:2025-11-24 20:07:00
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    属性 参数值 商品目录 场效应管(MOSFET) 漏源电压(Vdss) 200V 连续漏极电流(Id) 13A 功率(Pd) 110W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 235mΩ 10V,8A 阈值电压(Vgs(th)@Id) 5.5V 250μA 类型 N沟道

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