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位置：首页 > IC中文资料第1088页 > IRFR1N60ATR

IRFR1N60ATR价格

参考价格：￥3.2671

型号：IRFR1N60ATRPBF 品牌：Vishay 备注：这里有IRFR1N60ATR多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IRFR1N60ATR批发/采购报价，IRFR1N60ATR行情走势销售排行榜，IRFR1N60ATR报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRFR1N60ATR

Power MOSFET

FEATURES • Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Requirement • Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness • Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current • Material categorization: For definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIO

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRFR1N60ATRLPBF

Power MOSFET

FEATURES • Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Requirement • Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness • Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current • Material categorization: For definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIO

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRFR1N60ATRPBF

Power MOSFET

FEATURES • Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Requirement • Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness • Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current • Material categorization: For definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIO

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRFR1N60ATRRPBF

Power MOSFET

FEATURES • Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Requirement • Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness • Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current • Material categorization: For definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIO

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRFR1N60ATRLPBFA

Power MOSFET

文件：270.24 Kbytes Page：13 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRFR1N60ATRPBFA

Power MOSFET

文件：270.24 Kbytes Page：13 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRFR1N60ATRPBF-BE3AB

Power MOSFET

文件：270.24 Kbytes Page：13 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

1N60

GOLD BONDED GERMANIUM DIODE

Germanium Glass Diode Features • Germanium Glass Diode • RoHS Compliance

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

1N60

Silicon Avalanche Diodes - 1500 Watt Metal Axial Leaded Transient Voltage Suppressors

FEATURES • Hermetically sealed • Breakdown voltage range 6.8 - 200 volts • Glass passivated junction • Excellent clamping capability • Low zener impedance • 100 surge tested • -55°C to +150°C • Bi-directional MAXIMUM RATING • Peak Pulse Power (Ppk): 15000 Watts (10 x 1000µs)@25°C (see di

Littelfuse

力特

1N60

Schottky Barrier Diode

Features 1. High reliability 2. Low reverse current and low forward voltage Applications Low current rectification and high speed switching Construction Silicon epitaxial planar

FORMOSA

美丽微半导体

1N60

JEDEC DO-7 PACKAGE

JEDEC DO-7 PACKAGE

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

1N60

1.2 Amps, 600 Volts N-CHANNEL MOSFET

DESCRIPTION The UTC 1N60 is a high voltage MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching applications in pow

UTC

友顺

IRFR1N60ATR产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRFR1N60ATR

  • 功能描述

    MOSFET N-Chan 600V 1.4 Amp

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

IRFR1N60ATR供应商更多...

更新时间：2025-11-24 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市得捷芯城科技有限公司
IRFR1N60ATR
IR
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NA/
3389
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深圳市金芯世纪电子有限公司
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SOT252
100000
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20300
INFINEON/英飞凌原装特价IRFR1N60ATR即刻询购立享优惠#长期有货
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深圳市富芯乐电子科技有限公司
IRFR1N60ATRPBF
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54000
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718
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深圳市科恒伟业电子有限公司
IRFR1N60ATRPBF
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IRFR1N60ATRPBF
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IRFR1N60ATRPBFMOS(场效应管)
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D-PAK(TO-252)
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深圳市拓亿芯电子有限公司
IRFR1N60ATRPBF
IR
25+
D-PAK
30000
代理全新原装现货,价格优势
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IRFR1N60ATR规格书下载地址

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    联系人张生 电话19926428992 QQ1924037095

    2021-10-12

  • IRFR13N20DTRPBF

    属性 参数值 商品目录 场效应管(MOSFET) 漏源电压(Vdss) 200V 连续漏极电流(Id) 13A 功率(Pd) 110W 导通电阻(RDS(on)@Vgs，Id) 235mΩ 10V，8A 阈值电压(Vgs(th)@Id) 5.5V 250μA 类型 N沟道

    2021-10-12

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