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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IRFR1N60A_V01 | Power MOSFET FEATURES • Low gate charge Qg results in simple drive requirement • Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness • Fully characterized capacitance and avalanche voltage and current • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 APPL | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 |   |
更新时间：2025-11-24 20:00:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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VISHAY/威世 |
24+ |
NA/ |
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优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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VISHAY |
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DPAK |
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原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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IR |
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TO-252 |
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联系人张生 电话19926428992 QQ1924037095
2021-10-12IRFR13N20DTRPBF
属性 参数值 商品目录 场效应管(MOSFET) 漏源电压(Vdss) 200V 连续漏极电流(Id) 13A 功率(Pd) 110W 导通电阻(RDS(on)@Vgs，Id) 235mΩ 10V，8A 阈值电压(Vgs(th)@Id) 5.5V 250μA 类型 N沟道
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