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IRFR18N15D_15

Low Gate to Drain Charge to Reduce

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KERSEMI

更新时间:2025-8-8 9:13:00
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    联系人张生 电话19926428992 QQ1924037095

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    属性 参数值 商品目录 场效应管(MOSFET) 漏源电压(Vdss) 200V 连续漏极电流(Id) 13A 功率(Pd) 110W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 235mΩ 10V,8A 阈值电压(Vgs(th)@Id) 5.5V 250μA 类型 N沟道

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