IRFIBE30GPBF价格

参考价格:¥4.0382

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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRFIBE30GPBF

HEXFET짰 Power MOSFET

VDSS = 800V, RDS(on) = 3.0Ω, ID = 2.1A

IRF

IRFIBE30GPBF

Power MOSFET

DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220 FULLPAK eliminates the need for additional insulating hardware in commercial-industrial applicati

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRFIBE30GPBF

Power MOSFET

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VISHAYVishay Siliconix

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IRFIBE30GPBF

MOS(场效应管)

VISHAYVishay Siliconix

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IRFIBE30GPBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRFIBE30GPBF

  • 功能描述

    MOSFET N-Chan 800V 2.1 Amp

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-1-27 15:18:00
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