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IRFIBC30GPBF价格

参考价格:¥9.3553

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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRFIBC30GPBF

Power MOSFET

DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. FEATURES • Isolated Package • High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS(t = 60 s;f = 60 Hz) • Sink

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IRFIBC30GPBF

HEXFET Power MOSFET

Description Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220 Fullpak eliminates the need for additional insulating hardware in commercial-industrial applicat

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IRFIBC30GPBF

MOSFET N-CH600V HEXFET MOSFET

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IRFIBC30GPBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRFIBC30GPBF

  • 功能描述

    MOSFET N-Chan 600V 2.5 Amp

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-5-20 11:57:00
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