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IRFI9630G_V01

Power MOSFET

FEATURES • Isolated package • High voltage isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; f = 60 Hz) • Sink to lead creepage distance = 4.8 mm • P-channel • Dynamic dV/dt rating • Low thermal resistance • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 DESC

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

更新时间:2026-2-1 14:06:00
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