位置：首页 > IC中文资料 > IRFI9530G_V01
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IRFI9530G_V01 | Power MOSFET FEATURES • Isolated package • High voltage isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; f = 60 Hz) • Sink to lead creepage distance = 4.8 mm • P-channel • 175 °C operating temperature • Dynamic dV/dt rating • Low thermal resistance • Material categorization: for definitions of compliance please see | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 |   |
更新时间：2025-11-22 23:00:00
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