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IRFI9520G_V01

Power MOSFET

FEATURES • Isolated package • High voltage isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; f = 60 Hz) • Sink to lead creepage distance = 4.8 mm • P-channel • 175 °C operating temperature • Dynamic dV/dt rating • Low thermal resistance • Material categorization: for definitions of compliance please see

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

更新时间:2025-11-23 10:31:00
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VBSEMI/微碧半导体
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