IRFI840GPBF价格

参考价格:¥5.3170

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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRFI840GPBF

Power MOSFET

DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. FEATURES • Isolated Package • High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS(t = 60 s,f = 60 Hz) • Sink

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRFI840GPBF

HEXFET짰 Power MOSFET

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IRF

IRFI840GPBF

N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET

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IRFI840GPBF

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Features ● lat Handling Surface for Accurate Placement ● tandard Zener Breakdown Voltage Range -3.3V to 68V ● ow Profile Package

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8A 500V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

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9Amps竊?00V N-CHANNEL MOSFET

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8A竊?00V N-CHANNEL MOSFET

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KIA

可易亚半导体

8A 500V N-CHANNEL MOSFET

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KIA

可易亚半导体

IRFI840GPBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRFI840GPBF

  • 功能描述

    MOSFET N-Chan 500V 4.6 Amp

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-3-1 22:58:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY
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