位置：首页 > IC中文资料 > IRFI820G_V01
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IRFI820G_V01 | Power MOSFET FEATURES • Isolated package • High voltage isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; f = 60 Hz) • Sink to lead creepage distance = 4.8 mm • Dynamic dV/dt rating • Low thermal resistance • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION Thir | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 |   | |
Power MOSFET 文件：919.6 Kbytes Page：10 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | |
更新时间：2025-11-21 16:52:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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