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IRFH5110TR2PBF

HEXFET Power MOSFET

文件:305.51 Kbytes Page:8 Pages

IRF

IRFH5110TR2PBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRFH5110TR2PBF

  • 功能描述

    MOSFET MOSFT 100V Gen 10.7 11.68mOhm 56.2nC Qg

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-6 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
24+
NA/
16530
原装现货,当天可交货,原型号开票
IR/INFI
24+
PQFN
80000
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增
IR
20+
DFN56
32550
原装优势主营型号-可开原型号增税票
IR/INFINEON
10+
PQFN
402
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
IR
2016+
QFN
6528
房间原装进口现货假一赔十
IR
23+
QFN
2845
原厂原装正品
IR
21+
QFN
30000
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税
INFINEON/英飞凌
23+
8-PQFN5x6
23981
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
IR
QFN8
9850
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
IR
25+23+
QFN8
13210
绝对原装正品全新进口深圳现货

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