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位置：首页 > IC中文资料第1018页 > IRFBE20

IRFBE20价格

参考价格：￥3.1362

型号：IRFBE20PBF 品牌：Vishay 备注：这里有IRFBE20多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IRFBE20批发/采购报价，IRFBE20行情走势销售排行榜，IRFBE20报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRFBE20

Power MOSFET(Vdss=800V, Rds(on)=6.5ohm, Id=1.8A)

Description Third Generation HEXFETs International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissi

IRF

IRFBE20

Power MOSFET

DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipatio

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRFBE20

Power MOSFET

文件：266.13 Kbytes Page：9 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRFBE20

Power MOSFET(Vdss=800V, Rds(on)=6.5ohm, Id=1.8A)

Infineon

英飞凌

IRFBE20

Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRFBE20PBF

HEXFET Power MOSFET

Description Third Generation HEXFETs International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissi

IRF

IRFBE20PBF

Power MOSFET

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VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRFBE20PBF

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 1.8A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 800V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 6.5Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION ·motor drive, DC-DC

ISC

无锡固电

IRFBE20_V01

Power MOSFET

文件：266.13 Kbytes Page：9 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRFBE20PBF

Power MOSFET

文件：266.13 Kbytes Page：9 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRFBE20PBF

MOS(场效应管)

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRFBE20PBF-BE3

Power MOSFET

文件：266.13 Kbytes Page：9 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRFBE20产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRFBE20

  • 功能描述

    MOSFET 800V Single N-Channel HEXFET

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

IRFBE20供应商更多...

更新时间：2025-12-26 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市得捷芯城科技有限公司
IRFBE20PBF
IR
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