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参考价格：￥3.1362

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IRFBE20PBF	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 1.8A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 800V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 6.5Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION ·motor drive, DC-DC	ISC 无锡固电	ISC
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更新时间：2025-12-27 11:14:00

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2021-12-20
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2020-11-16
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2020-4-18
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2019-5-5